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| 基于GaN的高效率功率放大器设计 | |
| 引用本文： | 林建伟,黄继伟. 基于GaN的高效率功率放大器设计[J]. 电子元件与材料, 2021, 40(1): 47-53 |
| 作者姓名： | 林建伟 黄继伟 |
| 作者单位： | 福州大学 物理与信息工程学院,福建 福州 350108;福州大学 物理与信息工程学院,福建 福州 350108 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;福建省中央引导地方科技发展专项 |
| 摘 要： | 基于Cree公司GaN HEMT设计了一款适用于3.45 GHz 5G通信的Doherty功率放大器,其中,载波放大器工作于深AB类,峰值放大器偏置于C类.后仿真表明该放大器小信号增益为13 dB,饱和输出功率大于44.85 dBm(30 W),在饱和点的功率附加效率(PAE)为73.5％.在6 dB回退点效率高达65... |
| 关 键 词： | 高效率 GaN Doherty 功率放大器 5G |
High efficiency power amplifier based on GaN |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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