一种MEMS用硅单晶的缺陷检验方法 |
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引用本文: | 高丹. 一种MEMS用硅单晶的缺陷检验方法[J]. 电子工业专用设备, 2021, 50(2): 43-45 |
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作者姓名: | 高丹 |
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作者单位: | 中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津 300220 |
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摘 要: | 为了查找影响MEMS(微机电系统)器件缺陷的关键因素,通过模拟键合硅片的加工工艺开展了实验,探索出一种MEMS用硅单晶的缺陷检验方法.结果表明这种检验方法可以提前判断硅单晶是否可用于MEMS体硅工艺,对工业化生产具有很好的指导借鉴作用.
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关 键 词: | 微机电系统 单晶缺陷 检验方法 |
A Defect Inspection Method of Silicon Single Crystal for MEMS |
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