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一种MEMS用硅单晶的缺陷检验方法
引用本文:高丹. 一种MEMS用硅单晶的缺陷检验方法[J]. 电子工业专用设备, 2021, 50(2): 43-45
作者姓名:高丹
作者单位:中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津 300220
摘    要:为了查找影响MEMS(微机电系统)器件缺陷的关键因素,通过模拟键合硅片的加工工艺开展了实验,探索出一种MEMS用硅单晶的缺陷检验方法.结果表明这种检验方法可以提前判断硅单晶是否可用于MEMS体硅工艺,对工业化生产具有很好的指导借鉴作用.

关 键 词:微机电系统  单晶缺陷  检验方法

A Defect Inspection Method of Silicon Single Crystal for MEMS
Abstract:
Keywords:
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