| 含Ti-Al阻挡层的硅基Nb掺杂Pb(Zr,Ti)O3铁电电容器的研究 |
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| 引用本文： | 刘保亭,马良,边芳,闫小兵,张新,赵庆勋,闫正. 含Ti-Al阻挡层的硅基Nb掺杂Pb(Zr,Ti)O3铁电电容器的研究[J]. 真空科学与技术学报, 2007, 27(3): 177-180 |
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| 作者姓名： | 刘保亭 马良 边芳 闫小兵 张新 赵庆勋 闫正 |
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| 作者单位： | 1. 河北大学物理科学与技术学院,保定,071002
2. 河北大学电信学院,保定,071002 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;人事部留学回国人员科研启动基金;教育部留学人员基金;河北省自然科学基金;河北大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 应用非晶的Ti-Al薄膜作为导电阻挡层,通过溶胶-凝胶法和磁控溅射法成功地在Si基片上制备了La0.5Sr0.5CoO3/Pb(Nb0.02Zr0.39Ti0.59)O3/La0.5Sr0.5CoO3(LSCO/PNZT/LSCO)电容器异质结,研究了该异质结的铁电性能。当外加电压为5V时,LSCO/PNZT/LSCO铁电电容器的剩余极化强度为-18.0μC/m2,矫顽电压为-0.7 V,该电容器具有较好的保持持性和抗疲劳特性。
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| 关 键 词： | 阻挡层 铁电存储器 异质结 |
| 文章编号： | 1672-7126（2007）03-177-04 |
| 修稿时间： | 2006-09-07 |
Fabrication of Nb-doped Pb(Zr,Ti) O3 Ferroelectric Capacitors on Si with Ti-Al Barrier |
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| Liu Baoting,Ma Liang,Bian Fang,Yan Xiaobing,Zhang Xin,Zhao Qingxun,Yan Zheng. Fabrication of Nb-doped Pb(Zr,Ti) O3 Ferroelectric Capacitors on Si with Ti-Al Barrier[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2007, 27(3): 177-180 |
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| Authors: | Liu Baoting Ma Liang Bian Fang Yan Xiaobing Zhang Xin Zhao Qingxun Yan Zheng |
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| Keywords: | LSCO/PNZT/LSCO Ti-Al |
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