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TiNi形状记忆薄膜的光刻新工艺
引用本文:曲炳郡,李路明,王立鼎,夏善红.TiNi形状记忆薄膜的光刻新工艺[J].仪器仪表学报,2001,22(Z1):307-308.
作者姓名:曲炳郡  李路明  王立鼎  夏善红
作者单位:1. 大连理工大学微机电系统研究中心
2. 中国科学院电子学研究所
摘    要:TiNi形状记忆薄膜光刻工艺是此类MEMS器件制作的关键技术之一。研究了剥离工艺(lift\|off)用于TiNi薄膜图形化的可行性,并首次利用溅射的金属Pt作掩膜进行TiNi薄膜湿法腐蚀。结果表明溅射的Pt在HF/HNO3/H2O腐蚀TiNi过程中,具有抗腐蚀力强、与TiNi结合致密、不漂起的特点,是TiNi薄膜长时间腐蚀的理想掩膜材料。

关 键 词:TiNi  形状记忆薄膜  光刻  Pt薄膜  MEMS

Patterning of TiNi shape memory thin film with Pt mask for Mems
Abstract:
Keywords:
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