| 室温下Cu／3C—SiC（111）界面形成的研究 |
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| 引用本文： | 刘衍芳,李亮,刘金锋,刘忠良,徐彭寿,徐法强,潘海斌.室温下Cu／3C—SiC（111）界面形成的研究[J].真空科学与技术学报,2009,29(1). |
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| 作者姓名： | 刘衍芳 李亮 刘金锋 刘忠良 徐彭寿 徐法强 潘海斌 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029 |
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| 摘 要： | 用同步辐射光电子能谱(SRPES)和X射线光电子能谱(XPS)的方法研究了室温下Cu/3C-SiC (111) 界面的形成.在超高真空下,Cu慢慢沉积到2ML.Cu2p3/2用XPS测得,结合能从沉积0.08ML时的933.1eV移动到沉积2ML的932.8eV,Si2p用同步辐射光测得,峰位从未沉积时的43.55eV移动到沉积2ML的43.87eV,峰形状未发生变化,表明Cu与衬底之间没有发生化学反应,薄膜的生长开始为二维生长,超过0.1ML时变为三维生长,SiC的表面有表面态存在,当沉积少量的Cu时,表面态消失.随着Cu的沉积价带(VB)发生弯曲,肖特基势垒高度增加,在沉积2ML Cu时肖特基势垒变为1.2eV.
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| 关 键 词： | 界面 肖特基势垒 同步辐射光电子能谱 |
Initial Stage of Cu/3C-SiC(111) Interface formation at Room Temperature |
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| Liu Yanfang,Li Liang,Liu Jinfeng,Liu Zhongliang,Xu Pengshou,Xu Faqiang,Pan Haibin.Initial Stage of Cu/3C-SiC(111) Interface formation at Room Temperature[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2009,29(1). |
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| Authors: | Liu Yanfang Li Liang Liu Jinfeng Liu Zhongliang Xu Pengshou Xu Faqiang Pan Haibin |
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| Keywords: | Cu 3C-SiC |
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