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| 半导体材料 | |
| 摘 要： | Y2002-63474-65 0327563THz频率的锑化铟旋转电子特性=Gyroelectric proper-ties of Indium antimonide at THz frequencies[会,英]/Tio,L Y & Davis,L.E.//2001 IEEE High Fre-quency Postgraduate Student Colloqmum.—65-70 |
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