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用选择混合InGaAsP-InGaAsP量子阱技术研制的两段波长可调谐分布布拉格反射激光器
引用本文:陆羽 张靖 王圩 朱洪亮 周帆 王保军 张静媛 赵玲娟. 用选择混合InGaAsP-InGaAsP量子阱技术研制的两段波长可调谐分布布拉格反射激光器[J]. 半导体学报, 2003, 24(9): 903-906
作者姓名:陆羽 张靖 王圩 朱洪亮 周帆 王保军 张静媛 赵玲娟
作者单位:中国科学院半导体研究所 北京100083(陆羽,张靖,王圩,朱洪亮,周帆,王保军,张静媛),中国科学院半导体研究所 北京100083(赵玲娟)
基金项目:国家重点基础研究发展规划资助项目~~
摘    要:采用选择混合InGaAsP InGaAsP量子阱技术 ,研制出单脊波导结构的两段可调谐分布布拉格反射 (DBR)激光器 .激光器的阈值电流为 51mA ,可调谐范围为 4 6nm ,边模抑制比 (SMSR)为 40dB .

关 键 词:可调谐激光器  DBR激光器  QWI  半导体激光器

Wavelength Tuning in Two-Section Distributed Bragg Reflector Laser by Selective Intermixing of InGaAsP-InGaAsP Quantum Well Structure
Lu Yu,Zhang Jing,Wang Wei,Zhu Hongliang,Zhou Fan,Wang Baojun,Zhang Jingyuan,Zhao Lingjuan. Wavelength Tuning in Two-Section Distributed Bragg Reflector Laser by Selective Intermixing of InGaAsP-InGaAsP Quantum Well Structure[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2003, 24(9): 903-906
Authors:Lu Yu  Zhang Jing  Wang Wei  Zhu Hongliang  Zhou Fan  Wang Baojun  Zhang Jingyuan  Zhao Lingjuan
Abstract:The two-section tunable ridge waveguide distribu ted Bragg reflector (DBR) laser fabricated by the selective intermixing of an InGaAsP-InGaAsP quantum well structure is presented.The threshold current of the laser is 51mA.The tunable range of the laser is 4.6nm,and the side mode suppress ion ratio (SMSR) is 40dB.
Keywords:tunable laser  DBR laser  quantum well intermixing  MOCVD
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