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分类号
杂志ISSN号
纳米硅薄膜的特点及其制备技术
作者姓名:
林鸿溢 武旭辉
作者单位:
北京理工大学电子工程系
摘 要:
作为一项新一半导体薄膜技术,阐明了纳米硅薄膜的若干重要特点;着重讨论了利用等离子体增强化学气相淀积技术制备纳米硅薄膜的试验参数选择。
关 键 词:
半导体薄膜 纳米硅薄膜 等离子体 化学气相淀积
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