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| 完全 MBE 生长的内含吸收型光栅 GaAlAs／GaAs 多量子阱增益耦合型分布反馈式半导体激光器 | |
| 引用本文： | 罗毅,司伟民,张盛忠,陈镝,王健华,蒲锐.完全 MBE 生长的内含吸收型光栅 GaAlAs／GaAs 多量子阱增益耦合型分布反馈式半导体激光器[J].半导体学报,1994,15(2):139-144. |
| 作者姓名： | 罗毅 司伟民 张盛忠 陈镝 王健华 蒲锐 |
| 作者单位： | 清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室 |
| 摘 要： | 我们首次完全采用ＭＢＥ技术成功地制作了内含吸收型光栅的ＧａＡＩＡｓ／ＧａＡｓ量子阶增益耦合型分布反馈式半导体激光器．激光器在室温下的激射波长为８６０ｕｍ，单模单端输出光脉冲峰值功率超过２０ｍＷ．器件在至少０℃到８０℃的范围内始终保持单纵模激射．作为初步结果，条宽为５～６μｍ的氧化物条形结构器件的脉冲工作阈值电流约为７００ｍＡ． |
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