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| 资料文献 | |
| 摘 要： | 低密度低膨胀系数高热导率硅铝合金封装材料及制备方法专利申请号:03119606·3公开号:CNl531072申请人:北京有色金属研究总院本发明公开一种低密度低热膨胀系数高热导率的Si-Al合金封装材料及其制备方法,按重量百分比计,该合金成分为Si 50~70,Al为余量。按合金成分配料,将原料熔化,浇铸成合金预制锭。在1600~1700℃将合金预制锭熔化,以惰性气体为雾化气体,进行快速凝固喷射成形制备,雾化压力为0·5~1·0 MPa。本发明的新型SiAl合金材料的合金成分均匀、显微组织均匀、组织细小。材料经热等静压或热压致密化处理可实现完全致密化,材料可… |
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