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| SiCl_4-H_2外延系统的Si迁移反应 | |
| 引用本文： | 徐宝琨.SiCl_4-H_2外延系统的Si迁移反应[J].上海有色金属,1983(4). |
| 作者姓名： | 徐宝琨 |
| 作者单位： | 吉林大学 |
| 摘 要： | 本文用热力学方法研究了SiCl_4-H_2外延系统中的各种腐蚀反应和沉积反应。所得结果可以用于认识硅外延生长过程中的硅迁移效应。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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