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| AlGaN/AlN/GaN大功率微波HEMT | |
| 作者姓名： | 一凡 |
| 作者单位： | |
| 摘 要： | 美国加利福尼亚大学研制成新型异质结Al GaN/AlN/GaNHEMT。对于通常的HEMT在高的电荷密度下 ,插入极薄的AIN界面层 (～ 1nm )保持高迁移率 ,提高有效△Ec和降低合金散射。基于这种结构的器件具有优良的Dc和RF性能。在VGS为 2V下 ,高的峰值电流为 1A/mm ,在 8GHz下 ,功率附加效率为 2 8%时的输出功率密度为8 4W /mm。AlGaN/AlN/GaN大功率微波HEMT@一凡 |
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