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| 电气和电子工程用材料科学 | |
| 摘 要： | TB43 2003020010工作气压对制备立方氮化佛卑膜的影响/邓金祥,陈光华,严辉,王波,宋雪梅(北京工业大学)11北京工业大学学报一2 002,28(3).一378一380用射频溅射法将立方氮化硼(c一BN)薄膜沉积在p型Si(100)衬底上、薄膜的成分由傅里叶变换红外吸收谱和X射线衍射谱标识.在其他条件不变的情况下,研究了工作气压对制备立方氮化硼薄膜的影响.研究结果表明,工作气压是影响c一BN薄膜生长的重要参数,要得到一定立方相体积分数的氮化硼薄膜,必须要有合适的工作气压.工作气压等于或高于2.00Pa时,立方相不能形成;工作气压为O.67Pa时,得到了立方相体… |
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