| ZnTe插层对CdS/CdTe光伏器件性能的影响 |
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| 引用本文： | 宋慧瑾,鄢强,郑家贵,冯良桓,武莉莉,张静全,蔡伟,蔡亚平,李卫,黎兵.ZnTe插层对CdS/CdTe光伏器件性能的影响[J].真空科学与技术学报,2005,25(2):105-109. |
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| 作者姓名： | 宋慧瑾 鄢强 郑家贵 冯良桓 武莉莉 张静全 蔡伟 蔡亚平 李卫 黎兵 |
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| 作者单位： | 1. 四川大学太阳能材料与器件研究所,成都,610064
2. 四川大学太阳能材料与器件研究所,成都,610064;陕西科技大学材料科学与工程学院,咸阳,712081 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 从理论上分析了CdS/CdTe/Au器件的暗态、高正偏压下电流饱和(Roll-over)和光照、高正偏压下光暗I-V曲线相交(Cross over)现象.通过对比有无插层的CdTe太阳电池在C-V、I-V特性和光谱响应的不同,肯定了插层对改善背接触特性的作用;发现它还可以改善器件前结CdS/CdTe的二极管特性和短波光谱响应.实验结果还表明,不掺杂的ZnTe对提高器件的效率是必要的.恰当的不掺杂层厚度和退火温度能最有效地改进CdTe太阳电池的性能,而对填充因子的提高最为显著.
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| 关 键 词： | 共蒸发沉积 背接触 碲化镉太阳电池 碲化锌插层 填充因子 |
| 文章编号： | 1672-7126(2005)02-0105-05 |
| 修稿时间： | 2004年3月16日 |
Influence of ZnTe Insertion Layer on CdS/CdTe Photovoltaic Device Performance |
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| Song Huijin,YAN Qiang,Zheng Jiagui,Feng Lianghuan,Wu Lili,Zhang Jingquan,Cai Wei,Cai Yaping,Li Wei,Li Bing.Influence of ZnTe Insertion Layer on CdS/CdTe Photovoltaic Device Performance[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2005,25(2):105-109. |
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| Authors: | Song Huijin YAN Qiang Zheng Jiagui Feng Lianghuan Wu Lili Zhang Jingquan Cai Wei Cai Yaping Li Wei Li Bing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Co-evaporation deposition Back contact CdTe solar cells ZnTe insertion layer Fill factor |
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