| 纳米CeO2抛光料对硅晶片进行化学机械抛光的研究 |
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| 引用本文： | 谭刚. 纳米CeO2抛光料对硅晶片进行化学机械抛光的研究[J]. 中国机械工程, 2005, 16(Z1): 341-343 |
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| 作者姓名： | 谭刚 |
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| 作者单位： | 中国工程物理研究院电子工程研究所,绵阳,621900 |
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| 摘 要： | 通过自制纳米CeO2超细粉体,并配制成抛光液对硅片进行化学机械抛光,研究了纳米CeO2抛光料对硅片的抛光效果,解释了纳米级抛光料的化学机械抛光原理.实验结果表明:由于纳米抛光料粒径小,切削深度小,故材料去除采用塑性流动方式.使用纳米CeO2抛光料最终在1μm的范围内达到了微观表面粗糙度Ra为0.124nm的超光滑表面,满足了产品的要求.
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| 关 键 词： | 纳米CeO2抛光料 化学机械抛光(CMP) 抛光机理 粗糙度 |
| 文章编号： | 1004-132X(2005)S1-0341-03 |
| 修稿时间： | 2005-03-25 |
Study on the CMP Mechanism and Property of Silicon Wafer by Nano-sized CeO2 Abrasives |
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| Tan Gang. Study on the CMP Mechanism and Property of Silicon Wafer by Nano-sized CeO2 Abrasives[J]. China Mechanical Engineering, 2005, 16(Z1): 341-343 |
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| Authors: | Tan Gang |
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