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XeCl激光与铜蒸气激光诱导硅中掺硼的比较
作者姓名:钱育军  潘佰良
作者单位:浙江大学物理系!杭州,310027,浙江大学物理系!杭州,310027
摘    要:讨论了XeCl激光和铜蒸气激光(CVL)诱导硅中掺硼的实验比较结果。CVL诱导掺硼是首次由本课题完成的。激光掺杂之P-N结结深可小于0.2μm,表面硼浓度大于1021cm-3。CVL激光掺杂制成的太阳能电池最高光电效率比XeCl激光高8%,表明CVL激光在激光诱导掺杂中具有明显优势。

关 键 词:XeCl激光  铜蒸气激光  诱导掺杂
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