| 化学气相沉积铜薄膜研究进展 |
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| 引用本文： | 陶波,王琦.化学气相沉积铜薄膜研究进展[J].真空科学与技术学报,2003,23(5):340-346. |
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| 作者姓名： | 陶波 王琦 |
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| 作者单位： | 浙江大学化学系,浙江杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.20176048)资助项目 |
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| 摘 要： | 本文综术了集成电路工艺的Cu布线中Cu薄膜化学气相沉积(CVD)的研究背景,详细介绍了CVD生长Cu金属薄膜的国内外研究进展及CVD对前趋物的要求,并对前趋物的一些物理、化学性质进行了总结,最后,对薄膜沉积的计算机摸拟作了简要介绍。
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| 关 键 词： | 铜薄膜 化学气相沉积(CVD) 前趋物 |
| 文章编号： | 0253-9748(2003)05-0340-07 |
| 修稿时间： | 2003年1月9日 |
Latest Progress in Copper Film Growth with Chemical Vapor Deposition in Integrated Circuit Fabrication |
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| Tao Bo and Wang Qi.Latest Progress in Copper Film Growth with Chemical Vapor Deposition in Integrated Circuit Fabrication[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2003,23(5):340-346. |
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| Authors: | Tao Bo and Wang Qi |
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| Abstract: | Latest progress in copper film growth with chemical vapor deposition(CVD)in integrated circuit fabrication was reviewed with discussion centered on the physical and chemical properties of the CVD precursors. Various simulation software packages of the CVD film growth were also discussed |
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| Keywords: | Copper metallization Copper film Chemical vapor deposition ( CVD) Precursor |
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