| MOSFET模型＆参数提取 |
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| 引用本文： | 李庆华,韩郑生,海潮和.MOSFET模型＆参数提取[J].微电子技术,2003,31(4):23-28,38. |
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| 作者姓名： | 李庆华 韩郑生 海潮和 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院微电子中心,北京,100029;中国科学院研究生院,北京,100039
2. 中国科学院微电子中心,北京,100029 |
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| 摘 要： | 器件模型及参数作为工艺和设计之间的接口，对保证集成电路设计的投片成功具有决定意义。本文介绍了电路模拟中常用的几种MOSFET模型，并着重探讨了使用自动参数提取软件提取一套准确的模型参数的具体工作步骤。
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| 关 键 词： | MOSFEX BSIM 模型 参数提取 |
| 文章编号： | 1008-0147(2003)04-23-06 |
MOSFET Models and Parameter Extraction |
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| LI Qing-hua,HAN Zheng-sheng,HAI Chao-he.MOSFET Models and Parameter Extraction[J].Microelectronic Technology,2003,31(4):23-28,38. |
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| Authors: | LI Qing-hua HAN Zheng-sheng HAI Chao-he |
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| Abstract: | As interface of IC process and design, device models and their parameters are very important for ensuring a successful inflow of IC design. In this article, some MOSFET models that are usually used in circuit simulation are introduced, and actual steps that need be done when using automatic parameter extraction software to extract aset of accurate device model parameters areemphatically discussed. |
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| Keywords: | MOSFET BSIM Model Parameter extract |
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