首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

808nm量子阱激光器电流调制特性的实验研究
引用本文:来引娟 余建华 等. 808nm量子阱激光器电流调制特性的实验研究[J]. 激光杂志, 2001, 22(2): 8-10
作者姓名:来引娟 余建华 等
作者单位:[1]深圳大学科技研究院,深圳518060 [2]山西大学物理电子工程学院,太原030006
基金项目:1999年深圳市科技三项经费资助
摘    要:本文首次对高功率GaAs/GaAIAs量子阱激光器(808nm)的低频(100Hz-20KHz)电流调制特性进行了实验研究。结果表明:激光发射的接通延迟时间、阈值电流、正脉冲的占空比、平均功率、峰值功率随调制频率和电流而变化。

关 键 词:量子阱激光器 直接电流调制 调制响应 实验

Experimental study on current modulation characteristics of a 808nm Quantum well laser
Lai Yinjuan , Yu Jianhua , Han Shurong Li Ruining. Experimental study on current modulation characteristics of a 808nm Quantum well laser[J]. Laser Journal, 2001, 22(2): 8-10
Authors:Lai Yinjuan    Yu Jianhua    Han Shurong Li Ruining
Affiliation:Lai Yinjuan 1,2 Yu Jianhua 1,3 Han Shurong 1 Li Ruining 2
Abstract:
Keywords:quantum well laser  direct current modulation  response of modulation
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号