| 1.8GHz 0.35mm CMOS低噪声放大器的实现 |
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| 引用本文： | 马晓民,王文骐. 1.8GHz 0.35mm CMOS低噪声放大器的实现[J]. 半导体技术, 2002, 0(8) |
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| 作者姓名： | 马晓民 王文骐 |
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| 作者单位： | 上海大学通信学院通信与信息工程系 上海200072(马晓民)，上海大学通信学院通信与信息工程系 上海200072(王文骐) |
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| 摘 要： | 介绍了一种频率为1.8GHz的低噪声放大器(LNA)的设计方案,采用TSMC 0.35μm CMOS工艺实现,增益为25dB,噪声系数2.56dB,功耗≤10mW,IIP3为-25dB或5dBm。
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| 关 键 词： | 低噪声放大器 CMOS 螺旋电感 |
Implementation of 1.8GHz LNA in 0.35mm CMOS |
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| MA Xiao-min,WANG Wen-qi. Implementation of 1.8GHz LNA in 0.35mm CMOS[J]. Semiconductor Technology, 2002, 0(8) |
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| Authors: | MA Xiao-min WANG Wen-qi |
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| Abstract: | This paper presents the implementation of 1.8GHz LNA in TSMC 0.35mm CMOS.The gain is 25dB,noise figure is 2.56dB,power consumption is less than or equal to 10mW,IIP3 is -25dB or 5dBm.Key words: low noise amplifier;CMOS;spiral inductor |
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| Keywords: | low noise amplifier CMOS spiral inductor |
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