硅膜制备技术及其应用 |
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引用本文: | 张佐兰,田耘.硅膜制备技术及其应用[J].电子器件,1989(1):25-30. |
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作者姓名: | 张佐兰 田耘 |
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作者单位: | 不详 |
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摘 要: | 一、引言 硅膜广泛用于集成电路和传感器中。硅膜厚度及其均匀性对器件性能影响很大,尤其制备SiO_2上的硅膜是实现集成电路三维结构的关键,它将增加器件设计的灵活性。因此,近年来薄膜制备技术的研究十分活跃。以往固态传感器中常用机械研磨和化学腐蚀方法获得微结构,例如:薄膜、埋层和悬板等,但受到硅膜表面状态和机械强度的限制,最薄只能达到10μm以上。本文将综述硅膜的制备方法,简要介绍用电化学腐蚀自停止方法制取(1~2)μm,均匀性为80nm左右硅膜的实验结果及其在传感器中的应用实例。
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关 键 词: | 硅膜制备 机械研究 化学腐蚀 |
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