| 一种CMOS工艺低电压带隙基准源 |
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| 引用本文： | 石颖伟,韩良,王科. 一种CMOS工艺低电压带隙基准源[J]. 微电子学与计算机, 2008, 25(5): 185-188 |
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| 作者姓名： | 石颖伟 韩良 王科 |
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| 作者单位： | 1. 哈尔滨工业大学(威海)微电子中心,山东,威海,264209
2. 哈尔滨工业大学(威海)微电子中心,山东,威海,264209;哈尔滨工业大学微电子中心,黑龙江,哈尔滨,150001 |
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| 摘 要： | 基于0.18μm CMOS工艺,设计了一种低电源电压的带隙基准源.该带隙基准源电路采用非线性温度补偿,具有很高的温度稳定性.Hspice仿真结果显示,电源电压最低为1.2V时,在-40～135℃的温度范围内,输出电压在556.03～556.26mV之间变化,平均温度系数约仅为2.36ppm/℃,电源电压抑制比可达到90dB.
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| 关 键 词： | 带隙基准源 非线性补偿 温度系数 |
| 文章编号： | 1000-7180(2008)05-0185-04 |
| 修稿时间： | 2007-07-31 |
A Low Voltage CMOS Bandgap Reference |
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| SHI Ying-wei,HAN Liang,WANG Ke. A Low Voltage CMOS Bandgap Reference[J]. Microelectronics & Computer, 2008, 25(5): 185-188 |
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| Authors: | SHI Ying-wei HAN Liang WANG Ke |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | bandgap reference non-linear compensation temperature coefficient |
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