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| 512×456位硅CCD面阵摄象传感器 | |
| 作者姓名： | 过帆 王炳雪 |
| 作者单位： | 河北半导体研究所 石家庄 |
| 摘 要： | 本文叙述了512×456位硅 CCD 面阵摄象传感器的结构和工作原理。它为三相三层多晶硅交叠栅、N 沟帧转移结构.象素单元面积17(H)×24(V)μm~2,摄象区面积7.65×6.14mm~2,垂直和水平的三相驱动栅引出总线采用了较佳的布局,提高了管芯直流性能的完好率,栅的保护结构简单、有效。 |
| 关 键 词： | 电荷耦合器件 成象 多晶硅栅 沟阻 势阱 |
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