| 钨在硅和氮化钛上的激光化学汽相沉积实验研究 |
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| 引用本文： | 周一敏,孙迭篪,李富铭,杜元成,王海. 钨在硅和氮化钛上的激光化学汽相沉积实验研究[J]. 半导体学报, 1990, 11(11): 881-885 |
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| 作者姓名： | 周一敏 孙迭篪 李富铭 杜元成 王海 |
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| 作者单位： | 复旦大学物理系 上海(周一敏，孙迭篪，李富铭)，复旦大学电子工程系 上海(杜元成)，复旦大学电子工程系 上海(王海) |
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| 摘 要： | 本文介绍了用激光化学汽相沉积的方法在Si和TiN基板上沉积钨的实验研究。沉积过程由反射率探测法实时监测,实验结果表明:钨的沉积速率依赖于WF_6和H_2的比例、压力、激光功率和基板的物理性质。实验得到了3μm宽的钨膜。
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| 关 键 词： | 硅 TiN 薄膜 激光化学 汽相沉积 钨 |
Experimental Investigation of Laser Chemical Vapor Deposition of Tungsten on Si and TiN |
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| Zhou Yimin/. Experimental Investigation of Laser Chemical Vapor Deposition of Tungsten on Si and TiN[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 1990, 11(11): 881-885 |
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| Authors: | Zhou Yimin/ |
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| Affiliation: | Zhou Yimin/Department of Physics,Fudan University,ShanghaiSun Diechi/Department of Physics,Fudan University,ShanghaiLi Fuming/Department of Physics,Fudan University,ShanghaiDu Yuncheng/Department of Electronics Engineering Fudan University,ShanghaiWang Hai/Department of Electronics Engineering Fudan University,Shanghai |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Laser chemical vapor dep(?)sition Tungsten Silicon Titanium nitride |
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