| 环境温度对HfO2铁电存储器的质子辐照效应影响研究 |
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| 引用本文： | 朱旭昊,袁亦辉,黄铭敏,马瑶,毕津顺,许高博,龚敏,杨治美,李芸.环境温度对HfO2铁电存储器的质子辐照效应影响研究[J].微电子学,2024,54(2):330-337. |
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| 作者姓名： | 朱旭昊 袁亦辉 黄铭敏 马瑶 毕津顺 许高博 龚敏 杨治美 李芸 |
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| 作者单位： | 四川大学 物理学院 微电子技术四川省重点实验室, 成都 610064;四川大学 辐射物理及技术教育部重点实验室, 成都 610064;贵州师范大学 集成电路研究院, 贵州 550025;中国科学院微电子研究所 集成电路制造技术国家重点实验室, 北京 100029 |
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| 基金项目： | 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室专项经费资助(SKLIPR2109) |
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| 摘 要： | 基于HfO2的铁电随机存取存储器(FeRAM)具有功耗低、存取速度快,易于小型化,抗干扰能力强等优势,在航天航空领域有广袤的发展空间。然而,FeRAM在太空环境下的抗辐照性能尚未得到全面的研究。研究了W/TiN/Hf0.5Zr0.5O2(HZO)/TiN铁电存储器在常温和高温环境下经5 MeV质子辐照后的电学特性和铁电畴结构变化。通过电学和压电响应力显微镜(PFM)手段表征发现,在常温质子辐照后,电容器的介电常数(εr)和剩余极化强度(Pr)值均增大,器件的铁电性能提升,常温高注量质子辐照有利于存储器在太空环境中工作,但随着辐照时环境温度升高,HZO存储器的铁电性能下降,漏电流增大,铁电存储器的各项性能明显退化。
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| 关 键 词： | HfO2 铁电存储器 质子辐照 温度 |
| 收稿时间： | 2024/4/2 0:00:00 |
Proton Radiation Effect Based on HfO2 Ferroelectric Memory |
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| ZHU Xuhao,YUAN Yihui,HUANG Mingmin,MA Yao,BI Jinshun,XU Gaobo,GONG Min,YANG Zhimei,LI Yun.Proton Radiation Effect Based on HfO2 Ferroelectric Memory[J].Microelectronics,2024,54(2):330-337. |
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| Authors: | ZHU Xuhao YUAN Yihui HUANG Mingmin MA Yao BI Jinshun XU Gaobo GONG Min YANG Zhimei LI Yun |
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| Affiliation: | Key Laboratory of microelectronics, College of Physics, Sichuan University, Chengdu 610064, P.R.China;School of Integrated Circuits Key Laboratory of microelectronics, College of Physics, Sichuan University, Chengdu 610064, P.R.China;Institute of Integrated Circuits, Guizhou Normal University,Guizhou 550025, P.R.China;State Key Laboratory of Fabrication Technologies for Integrated Circuits, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, P.R.China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | HfO2 ferroelectric memory proton irradiation temperature |
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