| PEM用于半导体器件失效缺陷检测和分析 |
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| 引用本文： | 唐凌,瞿欣,方培源,杨兴,王家楫.PEM用于半导体器件失效缺陷检测和分析[J].半导体技术,2004,29(7):43-47. |
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| 作者姓名： | 唐凌 瞿欣 方培源 杨兴 王家楫 |
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| 作者单位： | 复旦大学国家微分析中心,上海,200433;复旦大学国家微分析中心,上海,200433;复旦大学国家微分析中心,上海,200433;复旦大学国家微分析中心,上海,200433;复旦大学国家微分析中心,上海,200433 |
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| 摘 要： | 光发射显微镜(PEM)是90年代发展起来的一种高灵敏度、高分辨率的新型缺陷定位分析技术.随着半导体器件线宽的不断下降,光发射显微镜已广泛使用于IC和分立器件中漏电、击穿、热载流子等失效点的定位和失效机理的分析.本文介绍了光发射显微镜及在半导体器件进行失效分析的机理和实际应用.
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| 关 键 词： | PEM 微分析 失效 |
| 文章编号： | 1003-353X(2004)07-0043-05 |
PEM in failure detect and analysis |
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| TANG Ling,QU Xin,FANG Pai yuan,YANG Xing,WANG Jia-ji.PEM in failure detect and analysis[J].Semiconductor Technology,2004,29(7):43-47. |
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| Authors: | TANG Ling QU Xin FANG Pai yuan YANG Xing WANG Jia-ji |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PEM microanalysis failure |
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