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半导体激光器的高精度温度控制优化设计
引用本文:李建威,姚和军,韩建国,张志新,李健. 半导体激光器的高精度温度控制优化设计[J]. 现代测量与实验室管理, 2006, 14(3): 16-18
作者姓名:李建威  姚和军  韩建国  张志新  李健
作者单位:1. 北京化工大学,北京,100029
2. 中国计量科学研究院,北京,100029
摘    要:温度对半导体激光器(LD)发射器的特性有较大的影响,随着温度的增加,阈值电流呈指数增加,输出功率和斜率分别呈抛物线和指数关系递减,同时特征温度也减少,波长随温度的漂移系数为0.24nm/℃[1].为了使半导体激光器的激光波长和输出功率稳定,必须对其温度进行高精度的控制.利用积分分离式PID控制原理设计了温度控制系统,控制精度达到±0.1℃,与普通PID控制器相比,极大的提高了系统的瞬态特性.

关 键 词:半导体激光器  温度控制  PID控制  瞬态特性
文章编号:1005-3387(2006)03-0016-18

The Technology of High Precision Temperature Control of Semiconductor Laser
LI Jianwei,YAO Hejun,HAN Jianguo,ZHANG Zhixin,LI Jian. The Technology of High Precision Temperature Control of Semiconductor Laser[J]. Advanced Measurement and Laboratory Management, 2006, 14(3): 16-18
Authors:LI Jianwei  YAO Hejun  HAN Jianguo  ZHANG Zhixin  LI Jian
Abstract:
Keywords:semiconductor laser   temperature control   PID control system   response character
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