| 硅中离子注入RTA剩余损伤对p－n结反向漏电流的影响 |
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| 引用本文： | 刘家璐,张廷庆. 硅中离子注入RTA剩余损伤对p－n结反向漏电流的影响[J]. 微电子学, 1994, 0(2) |
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| 作者姓名： | 刘家璐 张廷庆 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学 |
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| 摘 要： | 采用静电计测量了ＢＦ￣＋２、Ｆ￣＋Ｂ￣＋和Ａｒ￣＋＋Ｂ￣＋注入硅ＲＴＡ二极管的反向漏电流；借助高压透射电镜观察了ＢＦ￣＋２、Ｆ￣＋＋Ｂ“和Ａｒ￣＋＋Ｂ￣＋注入硅ＲＴＡ剩余损伤；深入讨论了剩余损伤对二极管反向漏电流的影响。结果表明，１）ＢＦ￣＋２注入二极管的反向漏电流最小，２）注入层剩余损伤和ＲＴＡ期间导致的热应力可能是影响二极管反向漏电流的主要原因。
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| 关 键 词： | 离子注入，快速热退火，反向漏电流，p－n结，二极管 |
Influence of the ResiduaI Damage in Ion Implanted Silicon After RTA on the Reverse Leakage Current of p-n Junctions |
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| Liu Jialu, Zhang Tingqing. Influence of the ResiduaI Damage in Ion Implanted Silicon After RTA on the Reverse Leakage Current of p-n Junctions[J]. Microelectronics, 1994, 0(2) |
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| Authors: | Liu Jialu Zhang Tingqing |
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| Affiliation: | Xidiar Unicersity. Xi'an .Shaanxi.710071 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ion imptantation Rapid thermal annealing.Reverse leakage current.p-n junction diode |
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