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| 反应烧结碳化硅陶瓷的高温氧化行为研究 | |
| 引用本文： | 黄清伟 高积强. 反应烧结碳化硅陶瓷的高温氧化行为研究[J]. 稀有金属材料与工程, 2000, 29(1): 32-34 |
| 作者姓名： | 黄清伟 高积强 |
| 作者单位： | 西安交通大学,西安,710049 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金!资助项目 (批准号 :5 9772 0 13 ) |
| 摘 要： | 研究了反应烧结碳化硅陶瓷在１３００℃空气中的高温氧化行为。结果表明：高温氧化过程中在试样表面出现的非晶态ＳｉＯ２晶化以及氧化膜起裂，使得该陶瓷氧化曲线遵循对数氧化规律。 |
| 关 键 词： | 碳化硅 反应烧结 高温氧化 陶瓷 |
High Temperature Oxidation Kinetics of Reaction Bonded Silicon Carbide |
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| Huang Qingwei,Gao Jiqiang,Jin Zhihao. High Temperature Oxidation Kinetics of Reaction Bonded Silicon Carbide[J]. Rare Metal Materials and Engineering, 2000, 29(1): 32-34 | |
| Authors: | Huang Qingwei Gao Jiqiang Jin Zhihao |
| Abstract: | |
| Keywords: | silicon carbide reaction bonded high temperature oxidation |
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