| EEPROM失效机理初探 |
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| 引用本文： | 于宗光 魏同立. EEPROM失效机理初探[J]. 固体电子学研究与进展, 1997, 17(2): 127-133 |
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| 作者姓名： | 于宗光 魏同立 |
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| 作者单位： | [1]东南大学 [2]东南大学微电子中心 |
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| 基金项目： | 江苏省青年科技资金!BQ96040 |
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| 摘 要： | 在分析了双层多晶硅FLOTOXEEPROM各种失效模式后，从理论上提出了提高EEPROM可靠性的各种措施。提高隧道氧化层和多晶硅之间氧化层的质量，减小擦／写电压和擦／写时间，减小隧道氧化层的面积，都是提高EEPROM可靠性的有效措施。
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| 关 键 词： | 电可擦除可编程只读存储器 可靠性 失效 分析 |
Preliminary Analysis of EEPROM Failure Mechanisms |
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| Yu Zongguang Xu Juyan. Preliminary Analysis of EEPROM Failure Mechanisms[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 1997, 17(2): 127-133 |
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| Authors: | Yu Zongguang Xu Juyan |
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| Abstract: | Based on the analysis of two-poly FLOTOX EEPROM failure mechanisms,various methods to improve EEPROM reliability have been presented theoretically. These methods include:improving the tunneling oxide and interpoly oxide quality;reducing erasing/writing voltage and time;reducing tunneling oxide area. |
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| Keywords: | EEPROM Reliability Failure Analysis |
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