数字MOS集成电路的计算机辅助设计和表征

发展计算机辅助电路仿真方法使MOS集成电路的设计、表征和最佳化成为可能。直流特性和瞬态特性的计算,是根据制造工艺数据摘录的并结合分析器件模型得出的物理器件参数来进行的。已经证明任何MOS电路结构(具有相关的串联阻抗和寄生器件)可以利用一个等效反相器来分析。用负载I-V特性曲线和晶体管I-V特性曲线的叠加得到输入-输出转换特性曲线,以提供直流“最坏情况”设计所必需的数据。可用一个简单的器件模型来计算电路瞬态响应。所有计算出的特性曲线与对集成电路进行的测量相当符合。