| 一种电流求和型CMOS基准电流源 |
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| 引用本文： | 李炜,蔡敏.一种电流求和型CMOS基准电流源[J].半导体技术,2005,30(11):60-63. |
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| 作者姓名： | 李炜 蔡敏 |
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| 作者单位： | 华南理工大学物理科学与技术学院,广州,510640;华南理工大学物理科学与技术学院,广州,510640 |
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| 摘 要： | 基于温度补偿的方法设计了一种高性能的CMOS基准电流源电路,该电路采用0.35mm N阱CMOS工艺实现.通过Cadence Spectre工具仿真,结果表明,在-40～85℃的温度范围内,该电路输出电流的温度系数小于40×10-6/℃.在3.3V电源电压下功耗约为1mW,属于低温漂、低功耗的基准电流源.
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| 关 键 词： | 互补金属氧化物半导体 基准电流源 低温漂 低功耗 |
| 文章编号： | 1003-353X(2005)11-0060-04 |
| 收稿时间： | 2005-07-14 |
| 修稿时间： | 2005年7月14日 |
Current Summing Mode CMOS Current Reference |
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| LI Wei,CAI Min.Current Summing Mode CMOS Current Reference[J].Semiconductor Technology,2005,30(11):60-63. |
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| Authors: | LI Wei CAI Min |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS current reference temperature coefficient low power consumption |
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