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纳米碳管场致发射冷阴极的研究
引用本文:朱春晖,李俊涛,张晓兵,雷威. 纳米碳管场致发射冷阴极的研究[J]. 电子器件, 2004, 27(1): 57-59
作者姓名:朱春晖  李俊涛  张晓兵  雷威
作者单位:东南大学电子工程系,南京,210096;东南大学电子工程系,南京,210096;东南大学电子工程系,南京,210096;东南大学电子工程系,南京,210096
基金项目:973项目资助(编号:2003CB314706),国家大功率微波重点实验室基金,东南大学科技基金(编号9206001270,9206001271)
摘    要:以热化学气相沉积法较容易地制备得到场发射冷阴极。在导电性较好的金膜上蒸镀镍点,以此作为热化学气相沉积反应的基底,首先高纯氢气被通入石英管中作为保护性气体,同时起到还原催化剂的作用;然后通人乙炔气体,在700℃下在镍催化剂颗粒上乙炔发生裂解反应,实现纳米碳管的生长,并进行了场致发射特性实验研究,发射电流密度可达1.29A/cm^2,获得较大发射电流密度。

关 键 词:纳米碳管  热化学气相沉积  场致发射
文章编号:1005-9490(2004)01-0057-03

Study of Field Emission Cold Cathode of Carbon Nanotubes
Zhu Chun-hui Li Jun-tao Zhang Xiao-hing Lei Wei. Study of Field Emission Cold Cathode of Carbon Nanotubes[J]. Journal of Electron Devices, 2004, 27(1): 57-59
Authors:Zhu Chun-hui Li Jun-tao Zhang Xiao-hing Lei Wei
Abstract:
Keywords:carbon nanotube(CNT)  thermal chemical vapor deposition (TCVD)  field emission
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