| ZnO本征缺陷的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 罗达峰,谭志中,杨建华,丁增辉. ZnO本征缺陷的第一性原理研究[J]. 长春理工大学学报(自然科学版), 2009, 32(4): 565-568,576 |
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| 作者姓名： | 罗达峰 谭志中 杨建华 丁增辉 |
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| 作者单位： | 南通大学,理学院,南通,226001;华南师范大学,物理与电信工程学院,广州,510006 |
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| 基金项目： | the Education Department of Jiangsu Province，南通大学自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法对纯净ZnO和本征缺陷ZnO的电子结构进行了比较研究.结果表明:纯净ZnO中氧原子或者锌原子的减少都会使得ZnO的禁带宽度增大,O空位与Zn反位是施主缺陷,Zn空位是受主缺陷.O原子的减少,或者Zn原子的增加,都将导致Zn-Zn原子间的相互作用增强,使得Zn-3d电子态不再发生能级分裂,同时氧空位的增多将导致ZnO电导率下降.
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| 关 键 词： | 能带结构 电子态密度 赝势法 |
The Study of Native Defects ZnO Using First Principle Plane-wave Pseudopotential |
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