| 一种DC～5GHz串联微波开关的温度特性和功率处理能力的测试与分析 |
| |
| 引用本文： | 吕苗,赵正平,娄建忠,顾洪明,胡小东,李倩. 一种DC～5GHz串联微波开关的温度特性和功率处理能力的测试与分析[J]. 半导体学报, 2004, 25(7): 749-755 |
| |
| 作者姓名： | 吕苗 赵正平 娄建忠 顾洪明 胡小东 李倩 |
| |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学研究所，西安电子科技大学微电子学研究所，河北大学电子信息工程学院，清华大学电子工程系，河北半导体研究所砷化镓功率器件和超高速集成电路国防科技重点实验室，河北半导体研究所砷化镓功率器件和超高速集成电路国防科技重点实验室 西安710071河北半导体研究所砷化镓功率器件和超高速集成电路国防科技重点实验室，石家庄050051，西安710071，保定071002，北京100084，石家庄050051，石家庄050051 |
| |
| 摘 要： | 描述了一种串联微波 MEMS开关的设计、制造过程 ,它制作在玻璃衬底上 ,采用金铂触点 ,在 DC～ 5 GHz,插损小于 0 .6 d B,隔离度大于 30 d B,开关时间小于 30μs.对这种微波开关的温度特性和功率处理能力进行了测试 ,在DC～ 4 GHz,85℃下的插损增加了 0 .2 d B,- 5 5℃下的插损增加了 0 .4 d B,而隔离度基本保持不变 .在开关中流过的连续波功率从 1 0 d Bm上升到 35 .1 d Bm ,开关的插损下降了 0 .1～ 0 .6 d B,并且在 35 .1 d Bm (3.2 4 W)下开关还能工作 .和所报道的并联开关最大处理功率 (4 2 0 m W)相比 ,该结果说明串联开关具有较大的功率处理能力
|
| 关 键 词： | RFMEMS开关 温度特性 功率处理能力 |
Thermal Effects and RF Power Handling of DC～5GHz MEMS Switch |
| |
| Zhao Zhengping,Lou Jianzhong,Gu Hongming,Hu Xiaodong,Li Qian. Thermal Effects and RF Power Handling of DC～5GHz MEMS Switch[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2004, 25(7): 749-755 |
| |
| Authors: | Zhao Zhengping Lou Jianzhong Gu Hongming Hu Xiaodong Li Qian |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | RF MEMS switches thermal effects power handling capability |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
