| 具有更宽安全工作区的IGBT元胞的研究与设计 |
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| 引用本文： | 朱利恒,蒋其梦,陈星弼. 具有更宽安全工作区的IGBT元胞的研究与设计[J]. 微电子学, 2010, 40(6) |
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| 作者姓名： | 朱利恒 蒋其梦 陈星弼 |
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| 摘 要： | 研究了一种新的IGBT发射极元胞,并给出其设计方法.该元胞在不影响单位面积有效沟道宽度的情况下,将源衬底的P+区与源N+区并排垂直于沟道一侧放置,以缩短空穴路径.与采用深P+注入抗闩锁的传统方法相比,经过优化设计的新结构的闩锁电流增大了约8倍;在Vce为1.5 V时,单位面积电流密度增加3倍;元胞静态阻断电压也有20%的增加,从而扩展了IGBT的安全工作区,而且工艺更简单.
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| 关 键 词： | 绝缘栅双极型晶体管 抗闩锁 安全工作区 |
Design of IGBT Cell with Wider Safe Operating Area |
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| ZHU Liheng,JIANG Qimeng,CHEN Xingbi. Design of IGBT Cell with Wider Safe Operating Area[J]. Microelectronics, 2010, 40(6) |
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| Authors: | ZHU Liheng JIANG Qimeng CHEN Xingbi |
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