首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

基于GaAs的新型稀磁半导体材料(Ga,Mn)As
引用本文:刘力锋,杨瑞霞,郭惠.基于GaAs的新型稀磁半导体材料(Ga,Mn)As[J].微纳电子技术,2001,38(6):25-30.
作者姓名:刘力锋  杨瑞霞  郭惠
作者单位:河北工业大学电气信息学院,天津,300130
摘    要:介绍了一种基于 Ga As的新型稀磁半导体材料 ( Ga,Mn) As,包括 ( Ga,Mn) As的制备方法、结构特性、磁性质及磁输运性质。最后 ,展望了 ( Ga,Mn) As的应用前景

关 键 词:GaAs  稀磁半导体  铁磁性
文章编号:1001-5507(2001)06-0025-06
修稿时间:2001年6月4日

New diluted magnetic semiconductor material(Ga,Mn)As based on GaAs
LIU Li feng,YANG Ru xia,GUO Hui.New diluted magnetic semiconductor material(Ga,Mn)As based on GaAs[J].Micronanoelectronic Technology,2001,38(6):25-30.
Authors:LIU Li feng  YANG Ru xia  GUO Hui
Abstract:A new GaAs based diluted magnetic semiconductor,(Ga,Mn)As,is introduced in this paper,including its growing methods,structural properties,magnetic and magnetotransport properties.Finally,the application prospect of(Ga,Mn)As is previewed.
Keywords:GaAs  diluted magnetic semiconductors  ferromagnetism
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号