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| 芯片键合技术在光电子学中的最新研究进展 | |
| 引用本文： | 焦鹏飞,陈娓兮.芯片键合技术在光电子学中的最新研究进展[J].量子电子学报,2000,17(5):466-467. |
| 作者姓名： | 焦鹏飞 陈娓兮 |
| 作者单位： | 北京大学物理系,北京,100871 |
| 摘 要： | 芯片键合技术在光电子学中的应用研究可概括为两大方面： 一、将波长（１．３～１．５μｍ）激光器与硅大规模电路集成，从而实现光电子集成．这是光纤通讯和光二连所渴求的．在长波长区光纤损耗小，通讯距离长． 对以ＩｎＰ为基片的激光波长，硅是透明的，因此，通过硅基间器件能实现光互连．１９９５年Ｋ．Ｍｏｒｉ等人报道了硅基 １．５５ μｎｍ的 ＩｎＰ激光器显示优良的伏安特性．在键合界面未见高阻层．激光器在室温脉冲条件下的阈值电流密度（Ｊｔｈ）为 １．７ ｋＡ／ｃｍ２，这与以 ＩｎＰ为基片的激光器Ｊｔｈ相近． １９９９年 … |
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