| Ce∶Cu∶SBN晶体生长及全息存储性能的研究 |
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| 引用本文： | 周玉祥,刘欣荣,朱质彬. Ce∶Cu∶SBN晶体生长及全息存储性能的研究[J]. 压电与声光, 2003, 25(3): 218-220 |
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| 作者姓名： | 周玉祥 刘欣荣 朱质彬 |
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| 作者单位： | 哈尔滨工业大学,应用化学系光电信息中心,哈尔滨,150001 |
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| 基金项目： | 国家"九七三"资助项目(G19990330和8632001AA31304) |
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| 摘 要： | 在SBN中掺杂的ω(CeO2)、ω(CuO)为0．1％,采用硅钼棒作加热体,以提拉法生长Ce∶Cu∶SBN、Ce∶SBN和Cu：SBN晶体,测试晶体的衍射效率和响应时间。Ce∶Cu∶SBN晶体的最大衍射效率达65％,响应时间为1．3s,以Ce∶Cu∶SBN晶体作记录元件,以Cu∶SBN晶体作为位相共轭反射镜,实现全息关联存储。Ce∶Cu∶SBN晶体的存储性能优于SBN、Ce∶SBN和Cu∶SBN晶体。其响应速度比Fe∶LiNbO3晶体快一个数量级以上。对Ce离子和Cu离子在SBN晶体的占位和Ce∶Cu∶SBN晶体存储性能增强机理进行探讨。
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| 关 键 词： | Ce∶Cu∶SBN晶体 存储性能 衍射效率 晶体生长 响应时间 —次迭代全息 |
| 文章编号： | 1004-2474(2003)03-0218-03 |
| 修稿时间： | 2002-10-24 |
Study on Growth and Holographic Storage Properties of SBN Crystal |
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