| 清洗刻蚀源的均匀性分析 |
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| 引用本文： | 朱昌,王稳奇. 清洗刻蚀源的均匀性分析[J]. 西安工业大学学报, 2009, 29(2) |
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| 作者姓名： | 朱昌 王稳奇 |
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| 作者单位： | 西安工业大学,光电工程学院,西安,710032 |
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| 基金项目： | 表面工程技术国防科技重点实验室资助项目 |
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| 摘 要： | 为了研制具有高性能的离子源,进而获得高质量的加工工艺,用自制的法拉第筒对清洗刻蚀源均匀性进行了测试,分析了影响离子束均匀性的主要因素,并采用清洗刻蚀离子源进行氩离子束刻蚀.实验结果表明:采用双圈发射型结构比采用单圈结构所得到的离子束密均匀性要好,在一定范围内减小阳极放电电压、减小出口束流、增大距源出口中心距离均可导致出口束密均匀性的提高,离子束刻蚀Cu膜表面粗糙度与离子束密空间分布均匀性紧密相关,目前可达到的最优表面粗糙度值为1.067 8 nm.
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| 关 键 词： | 离子源 束流密度 均匀性 离子束刻蚀 表面粗糙度 |
The Uniformity of Cleaning and Etching Ion Source |
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| ZHU Chang,WANG Wen-qi. The Uniformity of Cleaning and Etching Ion Source[J]. Journal of Xi'an Institute of Technology, 2009, 29(2) |
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| Authors: | ZHU Chang WANG Wen-qi |
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