| 用蒙特卡洛方法计算砷化镓中的正电子迁移率 |
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| 引用本文： | 郁伟中 杨鹏远. 用蒙特卡洛方法计算砷化镓中的正电子迁移率[J]. 核技术, 1998, 21(2): 67-67 |
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| 作者姓名： | 郁伟中 杨鹏远 |
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| 作者单位： | 清华大学 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金,国家科委基础研究局基金,清华大学基础研究基金,清华大学理学院基金 |
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| 摘 要： | 用计算机模拟的方法获得正电子在半导体材料的迁移率，讨论了正电子有效质量，杂质浓度和温度对正电子迁移率的影响。
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| 关 键 词： | 正电子迁移率 蒙特卡洛法 砷化镓 半导体 |
A study of positron mobility in GaAs by the Monte Carlo simulation |
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| YU Weizhong YANG Pengyuan YANG Jinhui LI Xingzhong. A study of positron mobility in GaAs by the Monte Carlo simulation[J]. Nuclear Techniques, 1998, 21(2): 67-67 |
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| Authors: | YU Weizhong YANG Pengyuan YANG Jinhui LI Xingzhong |
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| Abstract: | A program of Monte Carlo simulation has been designed to study the positron transport in GaAs. The influences of effective mass, impurity concentration and temperature on positron mobility have been discussed. |
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| Keywords: | Positron mobility Monte Carlo simulation GaAs |
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