| 一种极低噪声高增益微波单片低噪声放大器 |
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| 引用本文： | 黄华,张海英,杨浩,尹军舰,朱旻,叶甜春. 一种极低噪声高增益微波单片低噪声放大器[J]. 半导体学报, 2006, 27(12): 2080-2084 |
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| 作者姓名： | 黄华 张海英 杨浩 尹军舰 朱旻 叶甜春 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 报道了一种用于卫星通讯系统,基于0.5μm栅长增强型赝配高电子迁移率晶体管的两级级联微波单片低噪声放大器.采用集总参数元件来缩小电路面积进而在整个芯片内完成阻抗匹配.在50Ω端口测试条件下,该低噪声放大器在3.5～4.3GHz频率范围内,噪声系数小于0.9dB,增益大于26dB,回波损耗小于-10dB.这是至今为止报道的增益高于20dB的低噪声放大器中具有最小噪声系数的微波单片低噪声放大器,它主要归因于采用具有优异噪声性能的增强型赝配高电子迁移率晶体管以及本文提出的源极串联电感结合漏极应用一个小的稳定电阻来减小输入匹配网络寄生电阻的电路结构.
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| 关 键 词： | 低噪声放大器 增强型赝配高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 low noise amplifier enhancement PHEMT MMIC 单片低噪声放大器 高增益 微波 performance transistor input network common series source inductor unique resistance drain noise figure best result date MMIC frequency |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)12-2080-05 |
| 收稿时间： | 2006-07-04 |
| 修稿时间： | 2006-07-27 |
A Super-Low-Noise,High-Gain MMIC LNA |
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| Huang Hu,Zhang Haiying,Yang Hao,Yin Junjian,Zhu Min and Ye Tianchun. A Super-Low-Noise,High-Gain MMIC LNA[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(12): 2080-2084 |
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| Authors: | Huang Hu Zhang Haiying Yang Hao Yin Junjian Zhu Min Ye Tianchun |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | low noise amplifier enhancement PHEMT MMIC |
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