| 4·2GHz CMOS射频前端电路设计 |
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| 引用本文： | 丘聪,叶青,叶甜春,范军.4·2GHz CMOS射频前端电路设计[J].微电子学,2009,39(4). |
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| 作者姓名： | 丘聪 叶青 叶甜春 范军 |
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| 作者单位： | 中国科学院,微电子研究所,北京,100029 |
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| 摘 要： | 设计并实现了一个工作在4.2 GHz的全集成CMOS射频前端电路,包括可实现单端输入到差分输出变换的低噪声放大器和电流注入型Gilbert有源双平衡混频器.电路采用SMIC 0.18 μm RF工艺.测试结果表明,在1.8 V电源电压下,电路的功率增益可达到26 dB,1 dB压缩点为-27 dBm,电路总功耗 (含Buffer) 为21 mA.
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| 关 键 词： | 超外差接收机 射频前端 低噪声放大器 混频器 |
Design of 4.2 GHz CMOS RF Front-end |
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| QIU Cong,YE Qing,YE Tianchun,FAN Jun.Design of 4.2 GHz CMOS RF Front-end[J].Microelectronics,2009,39(4). |
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| Authors: | QIU Cong YE Qing YE Tianchun FAN Jun |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics;The Chinese Academy of Sciences;Beijing 100029;P.R.China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Superheterodyne receiver RF front-end Low noise amplifier Mixer |
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