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| 等离子体辅助反应式脉冲激光熔蚀制备AIN薄膜的低温生长 | |
| 引用本文： | 汪洪海,郑启光.等离子体辅助反应式脉冲激光熔蚀制备AIN薄膜的低温生长[J].功能材料,1999,30(2):204-206. |
| 作者姓名： | 汪洪海 郑启光 |
| 摘 要： | 使用等离子体辅助反应式脉冲激光溅射沉积薄膜的方法在Ｓｉ（１１１）和Ｓｉ（１００）基片上已经成功地低温制备出ＡＩＮ多晶膜。实验表明，当脉冲能量密度ＤＥ＝１．０Ｊ·ｃｍ＾－２，脉冲频率ｆ＝５Ｈｚ，氮气气压ＰＮ２＝１．３３×１０＾４Ｐａ，基底温度ｔｓｕｂ＝２００℃，放电电压Ｖ＝６５０，基靶距离ｄｓ－Ｔ＝４ｃｍ时薄膜的生长速度等于６ｎｍ／ｍｉｎ。ＡＩＮ薄膜的折射率为２．０５，和基底的取向关系分别为：ＡＩＮ |
| 关 键 词： | 等离子体辅助 氮化铝 薄膜 低温生长 PLD |
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