| 氮气流量和退火处理对射频磁控溅射氮掺杂二氧化钛薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 杨勇,汪冰洁,姚婷婷,李刚,金克武,沈洪雪,王天齐,杨扬,彭赛奥,甘治平,马立云.氮气流量和退火处理对射频磁控溅射氮掺杂二氧化钛薄膜性能的影响[J].材料科学与工程学报,2019,37(3):417-422. |
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| 作者姓名： | 杨勇 汪冰洁 姚婷婷 李刚 金克武 沈洪雪 王天齐 杨扬 彭赛奥 甘治平 马立云 |
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| 作者单位： | 浮法玻璃新技术国家重点实验室,中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司,安徽蚌埠233018;浮法玻璃新技术国家重点实验室,中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司,安徽蚌埠233018;浮法玻璃新技术国家重点实验室,中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司,安徽蚌埠233018;浮法玻璃新技术国家重点实验室,中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司,安徽蚌埠233018;浮法玻璃新技术国家重点实验室,中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司,安徽蚌埠233018;浮法玻璃新技术国家重点实验室,中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司,安徽蚌埠233018;浮法玻璃新技术国家重点实验室,中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司,安徽蚌埠233018;浮法玻璃新技术国家重点实验室,中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司,安徽蚌埠233018;浮法玻璃新技术国家重点实验室,中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司,安徽蚌埠233018;浮法玻璃新技术国家重点实验室,中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司,安徽蚌埠233018;浮法玻璃新技术国家重点实验室,中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司,安徽蚌埠233018 |
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| 基金项目： | 安徽省重点研究与开发计划资助项目;安徽省重点研究与开发计划资助项目 |
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| 摘 要： | 常温下利用TiO2陶瓷靶采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了N掺杂TiO2薄膜。利用光学轮廓仪、X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪分析(XPS)和分光光度计等对薄膜的沉积速率、化学组成、晶体结构和禁带宽度进行了系统研究。结果表明:磁控溅射N2流量和退火处理对薄膜的微观结构和性能有重要的影响。退火前,薄膜由非晶态TiO2构成;退火后,薄膜呈现锐钛矿相和金红石相的混合相。随着磁控溅射系统中N2流量的增加,退火前禁带宽度从3.19eV减少到2.15eV;退火后,薄膜由非晶相TiO2组织转化为锐钛矿TiO2和金红石TiO2构成的浑河相组织,禁带宽度相比退火前的非晶相TiO2薄膜略有增加。
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| 关 键 词： | 氮掺杂二氧化钛薄膜 射频磁控溅射 沉积速率 禁带宽度 |
Effect of Annealing and N2 Flow Rate on Properties of N Doped TiO2 Films by RF Magnetron Sputtering |
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| YANG Yong,W ANGBingjie,YAO Tinging,G ANGLi,JIN Kewu,SHEN Hongxue,WANG Tianqi,YANG Yang,PENG Saiao,GAN Zhiping,MA Liyun.Effect of Annealing and N2 Flow Rate on Properties of N Doped TiO2 Films by RF Magnetron Sputtering[J].Journal of Materials Science and Engineering,2019,37(3):417-422. |
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| Authors: | YANG Yong W ANGBingjie YAO Tinging G ANGLi JIN Kewu SHEN Hongxue WANG Tianqi YANG Yang PENG Saiao GAN Zhiping MA Liyun |
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| Affiliation: | (State Key Laboratory of Advanced Technology for Float Glass,Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry,Bengbu 233018,China) |
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| Abstract: | YANG Yong;W ANGBingjie;YAO Tinging;G ANGLi;JIN Kewu;SHEN Hongxue;WANG Tianqi;YANG Yang;PENG Saiao;GAN Zhiping;MA Liyun(State Key Laboratory of Advanced Technology for Float Glass,Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry,Bengbu 233018,China) |
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| Keywords: | N-TiO2 films RF reactive magnetron sputtering growth rate band gap |
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