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La、Bi共掺杂Ag/SnO2触头材料导电性能的理论分析
引用本文:康慧玲,王景芹,张颖.La、Bi共掺杂Ag/SnO2触头材料导电性能的理论分析[J].材料科学与工程学报,2019,37(3):463-468.
作者姓名:康慧玲  王景芹  张颖
作者单位:河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室,天津,300130;河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室,天津,300130;河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室,天津,300130
摘    要:通过CASTEP软件计算了La、Bi共掺杂SnO2的电子结构和导电性能,分析了晶格常数、能带结构、态密度和电荷布局。分析结果表明,共掺杂后的材料仍为直接带隙半导体材料,共掺杂后晶胞体积增加,La的5p和Bi的6s、6p电子态进入导带部分,使导带底向低能端移动,费米能级进入价带顶,带隙变小,载流子只需较小的能量就可以从价带跃迁至导带,与La,Bi单掺杂相比,SnO2的导电性进一步增强。该仿真结果与已有的实验结果相互验证,为获得导电性优良的Ag/SnO2触头材料提供了理论支持。

关 键 词:Ag/SnO2  第一性原理  共掺杂  导电性

Theoretical Analysis of Conductive Properties of La,Bi Co-doped Ag/SnO2 Contact Materials
KANG Huiling,WANG Jingqin,ZHANG Ying.Theoretical Analysis of Conductive Properties of La,Bi Co-doped Ag/SnO2 Contact Materials[J].Journal of Materials Science and Engineering,2019,37(3):463-468.
Authors:KANG Huiling  WANG Jingqin  ZHANG Ying
Affiliation:(Province-Ministry Joint State Key Laboratory of Reliability and Intelligence of Electrical Equipment,Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China)
Abstract:KANG Huiling;WANG Jingqin;ZHANG Ying(Province-Ministry Joint State Key Laboratory of Reliability and Intelligence of Electrical Equipment,Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China)
Keywords:Ag/SnO2  first-principle  codoped  electrical properties
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