| Ga_(0.47)In_(0.53)As/SiO_2与Ga_(0.47)In_(0.53)As/Al_2O_3的界面性质 |
| |
| 引用本文： | 江若琏,郑有炓,傅浩,邵建军,黄善祥.Ga_(0.47)In_(0.53)As/SiO_2与Ga_(0.47)In_(0.53)As/Al_2O_3的界面性质[J].半导体学报,1989,10(10):739-745. |
| |
| 作者姓名： | 江若琏 郑有炓 傅浩 邵建军 黄善祥 |
| |
| 作者单位： | 南京大学物理系
(江若琏，郑有炓，傅浩，邵建军)，南京电子器件研究所(黄善祥) |
| |
| 摘 要： | 本文研究了GaInAs/SiO_2与GaInAs/Al_2O_3的界面性质.采用PECVD技术以TEOS为源以及采用MOCVD技术以Al(OC_3H_1)_3为源在n~+-InP衬底的n-Ga_(0.47) In_(0.33)As外延层上淀积了/SiO_2和Al_2O_3,制备成MIS结构.结果表明这些MIS结构具有良好的C-V特性,SiO_2/GaInAs界面在密度最低达 2.4×10~(11)cm~2·eV~(?),氧化物陷阱电荷密度达10~(?)～10~(10)cm~2,观察到GaInAs/SiO,结构中的深能级位置为E_c-E_T=0.39eV.GaInAs/Al_2O_3结构中的深能级位置为E_c=E_T=0.41eV.
|
| 关 键 词： | MIS结构 等离子增强化学汽相淀积 金属有机化合物化学汽相淀积 C-V特性 深能级瞬态谱 界面态 氧化物陷阱电荷 深能级 |
Interface Properties of Ga_(0.47)In_(0.53)As/SiO_2 and Ga_(0.47)In_(0.33)As/Al_2O_3 |
| |
| Jian Ruolian/.Interface Properties of Ga_(0.47)In_(0.53)As/SiO_2 and Ga_(0.47)In_(0.33)As/Al_2O_3[J].Chinese Journal of Semiconductors,1989,10(10):739-745. |
| |
| Authors: | Jian Ruolian/ |
| |
| Affiliation: | Jian Ruolian/Department of Physics,Nanjing UniversityZheng Youdou/Department of Physics,Nanjing UniversityFu Huao/Department of Physics,Nanjing UniversityShao Jianjun/Department of Physics,Nanjing UniversityHuang Shanxiang/Nanjing Electronic Devices Institute |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | MIS Structures Plasma-enhanced chemical vapor deposition Metal organic chemical vapor deposition C-V characteristics Deep level transient spectroscopy Interface state Oxide trapped charge Deep level |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
