| Cd0.8Mn0.2Te晶体的生长及其性能 |
| |
| 引用本文： | 张继军,介万奇.Cd0.8Mn0.2Te晶体的生长及其性能[J].半导体学报,2006,27(6):1026-1029. |
| |
| 作者姓名： | 张继军 介万奇 |
| |
| 作者单位： | 西北工业大学材料学院，西安 710072;西北工业大学材料学院，西安 710072 |
| |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
| |
| 摘 要： | 通过适当的工艺措施,采用传统布里奇曼法生长了尺寸为φ30mm×120mm的Cd0.8Mn0.2Te晶体.对晶体进行了X射线粉末衍射、X射线双晶摇摆曲线、紫外-可见光光谱、红外透过率及电阻率测试.测试结果表明,晶体结构为立方型,半峰宽较低,吸收边为720nm,对应禁带宽度为1.722eV,晶体的红外透过率和电阻率都较高.并讨论了晶体中的缺陷对红外透过率和电阻率的影响.
|
| 关 键 词： | Cd0.8Mn0.2Te X射线衍射 红外透过率 电阻率 紫外-可见-近红外光光谱 晶体结构 布里奇曼法生长 性能 Properties Growth 影响 缺陷 禁带宽度 对应 吸收边 半峰宽 方型 测试结果 电阻率 红外透过率 可见光光谱 曲线 双晶 射线粉末衍射 尺寸 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)06-1026-04 |
| 修稿时间： | 2005年9月4日 |
Growth and Properties of Cd0.8Mn0.2Te Crystal |
| |
| Zhang Jijun and Jie Wanqi.Growth and Properties of Cd0.8Mn0.2Te Crystal[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(6):1026-1029. |
| |
| Authors: | Zhang Jijun and Jie Wanqi |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Cd0 8Mn0 2Te X-ray diffraction infrared transmittance resistivity ultraviolet visible-near infrared spectrum |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
