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掺杂ZnO薄膜的研究现状
引用本文:文军,陈长乐,潘峰,吴小丽,张修兴. 掺杂ZnO薄膜的研究现状[J]. 材料导报, 2008, 22(Z1)
作者姓名:文军  陈长乐  潘峰  吴小丽  张修兴
摘    要:ZnO薄膜的性质取决于不同的掺杂元素和不同的制备工艺.概述了掺杂ZnO薄膜的研究现状,分析了不同掺杂组分对ZnO薄膜的p型转变特性、发光特性以及铁磁性质的影响,认为稀土掺杂可能使ZnO薄膜产生新的发光特性,共掺杂技术可能是实现ZnO薄膜特性改变的新途径.

关 键 词:ZnO薄膜  P型掺杂  稀土掺杂  受激发光  稀磁半导体

Recent Research Progress in Doped ZnO Thin Films
WEN Jun,CHEN Changle,PAN Feng,WU Xiaoli,ZHANG Xiuxing. Recent Research Progress in Doped ZnO Thin Films[J]. Materials Review, 2008, 22(Z1)
Authors:WEN Jun  CHEN Changle  PAN Feng  WU Xiaoli  ZHANG Xiuxing
Abstract:
Keywords:
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