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| O76mm智能剥离SOI材料的制备及其表面缺陷的分析 | |
| 引用本文： | 竺士炀,黄宜平,李爱珍,吴东平,王瑾,茹国平,包宗明.O76mm智能剥离SOI材料的制备及其表面缺陷的分析[J].半导体学报,1999,20(12):1071-1074. |
| 作者姓名： | 竺士炀 黄宜平 李爱珍 吴东平 王瑾 茹国平 包宗明 |
| 作者单位： | 复旦大学电子工程系!上海200433 |
| 摘 要： | 结合硅片低温键合和中等剂量的氢离子注入，用智能剥离技术（Ｓｍａｒｔ－ｃｕｔ○Ｒ）成功地制备了７６ｍｍ的ＳＯＩ材料．用原子力显微镜（ＡＦＭ）测得表面粗糙度约为７ｎｍ，比普通的抛光硅片约大一个数量级．ＳＯＩ上层硅膜存在表面缺陷，包括未转移区和气泡等，这是由剥离前硅片键合界面存在的空洞引起．通过改进低温键合工艺，提高键合质量，可得到基本无宏观表面缺陷的ＳＯＩ材料． |
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